Crocus Nano Electronics

Crocus Nano Electronics的生产目录包括MRAM和RRAM存储芯片、磁性传感器、硅基插层、生物电子芯片、通信设备。此外，公司还提供300毫米晶圆上集成电路的合同生产和技术工艺的开发服务。MRAM和RRAM是下一代非易失性存储器技术。MRAM和RRAM是新一代的非易失性存储器技术，公司开发并准备生产MRAM和RRAM芯片。公司开发的MRAM芯片记录密度为1-4兆位，读写速度为35/90/120/150纳秒。它们具有低功耗，适用于记录数据和程序、缓冲和数据缓存。该技术是专门为集成到微控制器、微处理器和系统级芯片中而设计的，MRAM和RRAM芯片可以替代Flash、EEPROM和SRAM存储元件。在MRAM中，数据是通过存储元件的磁极化来记录的，这确保了高性能、无限重写周期和20年的能源独立性。MRAM存储器是低能耗设备的最佳选择，设计用于数据记录、程序、缓冲和数据缓存。 MRAM存储器单元的集成在生产过程的末端（生产线后端）进行。这样一来，MRAM存储器可以与任何基本的CMOS器件一起使用。其中，该技术易于扩展，通用于广泛的应用，并可替代其他类型的嵌入式存储器。对于非标准的解决方案，Crocus Nano电子公司提供专门的复杂功能MRAM单元（模块）的开发。