Crocus Nano Electronics

Crocus Nano Electronics es la única empresa en Rusia que se dedica al desarrollo y producción de BEOL (implementa el ciclo completo de operaciones tecnológicas en la etapa final de la producción, al final de la línea) de componentes electrónicos en obleas de silicio de 300 mm con estándares de diseño de 90/55 nm. La empresa también puede ofrecer a los clientes potenciales servicios de ingeniería y de fábrica para la aplicación de capas magnéticas en la oblea, así como productos basados en tipos innovadores de memoria no volátil.

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La empresa es líder tecnológico en Rusia en la producción y el desarrollo de tipos modernos de memoria no volátil utilizando las tecnologías MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory) y RRAM (Resistive Random Access Memory). El catálogo de la compañía incluye RFID y microcontroladores, chips bioelectrónicos, chips de memoria MRAM y RRAM (memoria integrada y autónoma), sensores magnéticos para la electrónica industrial, equipos para la comunicación, la automoción y la electrónica de consumo. La empresa, que cuenta con equipos modernos, tecnologías avanzadas y capacidades, también ofrece servicios de fabricación por contrato de BEOL en obleas de 300 mm y desarrollo de procesos.
Los socios de la empresa son las mayores empresas tecnológicas y fabricantes como: International Business Machines (EE.UU.), Semiconductor Manufacturing International Corporation (China), Tower Semiconductors (Israel, Japón), Shanghai Huali Microelectronics Corporation (China), Adesto Technologies (EE.UU.).
Hoy en día la capacidad de producción de la empresa es de hasta 4 mil obleas por mes. El área total de las instalaciones de producción es de 6,9 mil metros cuadrados.

Productos y servicios

El catálogo de producción de Crocus Nano Electronics incluye chips de memoria MRAM y RRAM, sensores magnéticos, interceptores de silicio, chips bioelectrónicos, equipos de comunicación. Además, la empresa ofrece servicios de producción por contrato de circuitos integrados en obleas de 300 mm y desarrollo de procesos tecnológicos.MRAM y RRAM son las próximas generaciones de tecnología de memoria no volátil. La empresa desarrolla y prepara la producción de los chips MRAM y RRAM. Los chips MRAM son desarrollados por la compañía con una densidad de grabación de 1 a 4 megabits, velocidad de lectura y escritura de 35/90/120/150 nanosegundos. Tienen un bajo consumo de energía y son adecuados para el registro de datos y programas, el buffer y el almacenamiento de datos en caché. La tecnología está diseñada específicamente para su integración en microcontroladores, microprocesadores y sistema-en-chip. Los chips MRAM y RRAM pueden sustituir a los elementos de memoria Flash, EEPROM y SRAM. En la MRAM, los datos se registran mediante la polarización magnética de los elementos de memoria, lo que garantiza un alto rendimiento, ciclos de reescritura ilimitados e independencia energética durante 20 años. La memoria MRAM es óptima para los dispositivos de bajo consumo de energía, diseñada para el registro de datos, programas, buffering y almacenamiento de datos. La integración de las células de memoria MRAM se realiza al final del proceso de producción (back end de la línea). De esta manera, la memoria MRAM puede ser utilizada con cualquier dispositivo CMOS básico. Entre otras cosas, la tecnología es fácilmente escalable, universal para una amplia gama de aplicaciones y puede sustituir a otros tipos de memoria incorporada. Para soluciones no estándar, Crocus Nano Electronics ofrece el desarrollo de unidades MRAM (módulos) funcionales complejas especializadas.