Крокус Наноэлектроника

«Крокус Наноэлектроника» – единственная в России компания, занимающаяся разработкой и BEOL производством (реализует полный цикл технологических операций на завершающем этапе производства, back end of line) электронных компонентов на 300 мм кремниевых пластинах с проектными нормами 90/55 нм. Компания также способна предложить потенциальным клиентам инжиниринговые услуги и услуги фабрики по нанесению магнитных слоев на пластину, а также продукты на основе инновационных типов энергонезависимой памяти.

Написать представителям Создать буклет http://crocusnano.com

Предприятие является технологическим лидером в России в области производства и разработки современных типов энергонезависимой памяти по технологиям MRAM (магниторезистивная память с произвольным доступом, англ: Magnetoresistive Random Access Memory) и RRAM (резистивная память с произвольным доступом, англ: Resitive RAM). Каталог компании включает RFID и микроконтроллеры, биоэлектронные чипы, микросхемы MRAM и RRAM памяти (встраиваемую память и отдельно стоящую), магнитные датчики для промышленной электроники, оборудования связи, автомобильной и потребительской электроники. Предприятие c современным оборудованием, передовыми технологиями и возможностями также предоставляет услуги контрактного производства BEOL на 300 мм пластинах и разработки технологических процессов.
Партнерами предприятия являются такие крупнейшие технологические компании и производители, как: IBM (США), SMIC (Китай), Tower Semiconductors (Израиль, Япония), HLMC (Китай), Adesto Technologies (США).
На сегодняшний день производственная мощность предприятия составляет до 4 тыс. пластин в месяц. Общая площадь производственных помещений составляет 6,9 тыс. кв. м.

Продукция и услуги

Производственный каталог «Крокус Наноэлектроника» включает в себя микросхемы памяти по технологиям MRAM и RRAM, магнитные датчики, кремниевые интерпозеры, биоэлектронные чипы, оборудования связи. Кроме этого, предприятие предоставляет услуги контрактного производства интегральных схем на пластинах 300 мм и разработки технологических процессов.

MRAM и RRAM- следующие поколения технологии энергонезависимой памяти. Компания разрабатывает и готовится к производству микросхем магниторезистивной памяти с произвольным доступом (Magnetoresistive random-access memory, MRAM) и резистивной памяти с произвольным доступом (RRAM). Микросхемы MRAM разрабатываются компанией с плотностью записи от 1 до 4 мегабит, скоростью считывания 35нс и записи 35/90/120/150нс. Они имеют низкое энергопотребление и подходят для регистрации данных, программ, буферизации и кэша данных. Технология разработана специально для интеграции в микроконтроллеры, микропроцессоры и системы на кристалле.

Микросхемы MRAM и RRAM способны заменить Flash, EEPROM и SRAM элементы памяти. В MRAM данные записываются при помощи магнитной поляризации элементов памяти, что обеспечивает высокую производительность, неограниченные циклы перезаписи и энергетическую независимость в течение 20 лет. MRAM память оптимальна для устройств с низким потреблением энергии, предназначенных для регистрации данных, программ, буферизации и кэша данных.

Интеграция ячеек MRAM памяти осуществляется на завершающем этапе производственного процесса (back end of line). Таким образом, MRAM память может применяться с любым базовым КМОП устройством. Помимо прочего, технология легко масштабируется, является универсальной для широкого класса применений и способна заменить альтернативные типы встраиваемой памяти. Для нестандартных решений «Крокус Наноэлектроники» предлагают разработку специализированных сложно-функциональных блоков (модулей) MRAM.

Читать Подробнее

Ультравысокочастотные RFID метки с блоком памяти на базе технологии RRAM сертифицированы по стандарту ISO 18000 63 (EPC Gen2 V2), обладают ультранизким энергопотреблением, высокой чувствительностью, адаптированы к разным антеннам. Отличаются неограниченным чтением блоков. Чтение и запись симметричные. Блок памяти EPC Electronic Product Code 96/128 бит, а TID (Tag Identification) может содержать до 96 бит. Также к преимуществам метки с блоком памяти RRAM можно отнести возможность хранения данных до 20 лет и количество циклов перезаписи – 100 000. Память может быть масштабируема до 2 мегабит.

Магнитный датчик предприятия разработан на основе инновационной запатентованной технологии Магнитной логической ячейки (Magnetic Logic Unit™, MLU), разработанной компанией Crocus Technology. Датчик на основе MLU имеет высокие технические характеристики, которые позволяют ему служить заменой традиционным датчикам магнитного поля на основе, эффекта Холла, анизотропного магниторезистивного эффекта и датчиков гигантского магнетосопротивления.

Еще один продукт предприятия - интерпозеры. Кремниевые интерпозеры являются основой современных технологий и применяются при создании высокопроизводительных устройств: систем-в-корпусе, систем типа корпус-в-корпусе, 2,5D и 3D интегральных схем, цифровых сигнальных процессоров, высоко-интегрированных и смешанных микросборок.

Ввиду того, что современные процессы производства электронных компонент включает в себя несколько тысяч сложных технологических операций, крайне необходимо обеспечить высокую точность и контроль на каждом этапе. Компания «Крокус Наноэлектроника» предоставляет полный набор услуг по разработке и поддержке технологических процессов с учетом требований индивидуального проекта. Это технологический консалтинг, моделирование структур, подбор материалов, разработка магнитных структур, опытное производство и прототипирование, метрологические испытания, интеграция технологических процессов, анализ процессов.