Katalog produkcyjny Crocus Nano Electronics obejmuje układy pamięci MRAM i RRAM, czujniki magnetyczne, interpozytory krzemowe, układy bioelektroniczne, urządzenia komunikacyjne. Ponadto firma świadczy usługi w zakresie kontraktowej produkcji układów scalonych na 300 mm płytkach oraz rozwoju procesów technologicznych. MRAM i RRAM to kolejne generacje technologii pamięci nieulotnych. Firma rozwija i przygotowuje się do produkcji chipów MRAM i RRAM. Układy MRAM są opracowywane przez firmę o gęstości zapisu od 1 do 4 megabitów, prędkości odczytu i zapisu 35/90/120/150 nanosekund. Charakteryzują się niskim poborem mocy i nadają się do rejestrowania danych i programów, buforowania i buforowania danych. Technologia ta została zaprojektowana specjalnie do integracji z mikrokontrolerami, mikroprocesorami i układami system-on-chip. Układy MRAM i RRAM mogą zastąpić elementy pamięci Flash, EEPROM i SRAM. W pamięci MRAM dane są rejestrowane poprzez magnetyczną polaryzację elementów pamięci, co zapewnia wysoką wydajność, nieograniczone cykle zapisu i niezależność energetyczną przez 20 lat. Pamięć MRAM jest optymalna dla urządzeń o niskim zużyciu energii, przeznaczona do rejestracji danych, programowania, buforowania i buforowania danych. Integracja komórek pamięci MRAM odbywa się na końcu procesu produkcyjnego (back end linii). W ten sposób pamięć MRAM może być wykorzystana z każdym podstawowym urządzeniem CMOS. Technologia ta jest m.in. łatwo skalowalna, uniwersalna dla szerokiego zakresu zastosowań i może zastąpić alternatywne typy wbudowanej pamięci. Dla niestandardowych rozwiązań Crocus Nano Electronics oferuje opracowanie specjalistycznych, złożonych, funkcjonalnych jednostek (modułów) pamięci MRAM.