Компания «Эпиэл» приняла участие в V Международном форуме «Микроэлектроника-2019»

Единственное предприятие в России, производящее эпитаксиальные структуры, компания «Эпиэл» стала участником V Международного форума «Микроэлектроника-2019», который проходил с 30 сентября по 5 октября в городе Алушта Республики Крым.

В рамках программы форума представители «Эпиэл» выступили с докладами на тему «Формирование переходного слоя AlN на темплейтах 3С-SiC/Si(111) методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии» и «Влияние твердофазной рекристаллизации с двойной имплантацией на плотность структурных дефектов в ультратонких слоях кремния на сапфире». Данные доклады являются частью большого проекта АО «Эпиэл», участвующего в консорциуме по освоению технологии получения эпитаксиальных структур на основе нитрида галлия.

Форум «Микроэлектроника» является главной коммуникационной площадкой для обсуждения последних технологических и рыночных тенденций радиоэлектронной отрасли. За четыре года успешной работы мероприятие объединило более 1 тысячи участников и 400 компаний из России, Белоруссии, Армении, КНР и США. Его организаторами выступают АО «НИИМА «Прогресс», АО «НИИМЭ» и НИУ «МИЭТ». Мероприятие состоялось при поддержке Минпромторга России, Союза машиностроителей России, ГК «Ростех», АО «Росэлектроника» и Фонда «Сколково».

О компании

Компания АО «Эпиэл» является единственным предприятием в России, специализирующимся на производстве эпитаксиальных структур на основе кремния и сапфира для широкого спектра полупроводниковых приборов, среди которых интегральные схемы, дискретные силовые приборы и многие другие электронные компоненты.

Современные эпитаксиальные структуры – продукт передовой инженерии и высоких технологий. Кремниевая эпитаксиальная структура представляет собой тонкую пластину круглой формы из высокочистого монокристаллического кремния с осажденным на ее поверхности сверхтонким эпитаксиальным слоем монокристаллического кремния.

Кремниевые эпитаксиальные структуры находятся в основании пирамиды, на которой строится современная радиоэлектроника, поскольку они являются базовым материалом для производства широкого спектра электронных компонентов, применяемых в электронной технике гражданского, военного и космического назначения.

На протяжении более 20 лет «Эпиэл» успешно обеспечивает потребности отечественной и зарубежной электронной промышленности в эпитаксиальных структурах. Более 50 предприятий радиоэлектроники по всей России являются потребителями продукции компании.

Продукция

Сегодня «Эпиэл» производит кремниевые эпитаксиальные структуры мирового уровня диаметром 100, 150 и 200 мм, которые поставляются на крупнейшие предприятия микроэлектроники нашей страны — «Микрон» и «Ангстрем», а также за рубеж.

В дальнейшем на основе этих структур изготавливаются микросхемы, которые применяются в электронных устройствах как бытового, так и специального назначения. Например, интегральные схемы, производимые на «Микроне», применяются в бесконтактных RFID-билетах транспортной сети города Москвы.

Обеспечение потребности практически всех отечественных потребителей – чрезвычайно сложная задача, поскольку требует наличия широких технологических возможностей. Имея более 30 лет опыта в сфере кремниевой эпитаксии, специалисты предприятия разработали целый ряд технологических процессов, которые позволяют производить как типовые, так и нестандартные эпитаксиальные структуры в широком диапазоне параметров. Комбинация высокого научного потенциала и широких производственных возможностей делает «Эпиэл» уникальным предприятием в своей сфере не только в России, но и в мире.

Одним из уникальных и перспективных продуктов компании являются эпитаксиальные структуры «Кремний на Сапфире» (КНС). Особенность таких структур состоит в том, что эпитаксиальный слой кремния наносится на подложку из сапфира, который является изолятором.

Структуры КНС находят применение в производстве электронных компонентов как гражданского, так и военного и космического назначения. В частности, на их основе производятся радиационно-стойкие интегральные схемы, применяемые в электронных системах космической техники, атомных электростанций, а также в устройствах связи, оптоэлектронике и электронике специальных применений.

Также АО «Эпиэл» участвует в консорциуме по освоению технологии получения эпитаксиальных структур на основе нитрида галлия (GaN). Силовые GaN-транзисторы могут применяться в импульсных преобразователях напряжения, источниках бесперебойного питания, солнечных электростанциях и ветряных генераторах, на транспорте. Особая область их применения – гибридные и электрические транспортные средства.

Инновационное развитие

«Эпиэл» рассматривает в качестве основного стратегического направления развития постоянные инновации, направленные на совершенствование качества выпускаемых и разработку новых типов эпитаксиальных структур с опережающим освоением их производства под будущие планы развития отечественных потребителей.

За прошедшие пять лет предприятие совершило новый рывок в своем развитии, реализовав проект создания нового производственного участка, оснащенного оборудованием более высокого класса. Реализация проекта потребовала значительных инвестиций в оборудование, создание чистых помещений и обеспечение инфраструктуры. Этот уникальный для России проект имеет особое значение для отечественной электронной промышленности, поскольку закладывает прочный фундамент для ее дальнейшего развития.