A empresa "Epiel" participou do V Fórum Internacional "Microeletrônica 2019

A empresa "Epiel", a única empresa na Rússia que produz estruturas epitaxiais, tornou-se participante do V Fórum Internacional "Microeletrônica-2019" que foi realizado de 30 de setembro a 5 de outubro em Alushta, Crimeia.

Durante o fórum, representantes da "Epiel" entregaram os relatórios "A formação da camada de transição AlN em modelos 3C-SiC/Si(111) usando o método de epitaxia de feixe molecular de amônia" e "Influência da recristalização em fase sólida com dupla implantação sobre a densidade de defeitos estruturais em camadas ultralinas de silício em safira". Os relatórios são parte de um projeto de grande escala do "Epiel" JSC que participa do consórcio de desenvolvimento de tecnologia para produção de estruturas epitaxiais com base em nitreto de gálio.

O Microelectronics Forum é uma importante plataforma de comunicação para discutir as últimas tendências tecnológicas e de mercado no campo da eletrônica. Durante quatro anos de trabalho bem-sucedido, o evento reuniu mais de 1 mil participantes e 400 empresas da Rússia, Bielorrússia, Armênia, China e EUA. Seus organizadores são NIIMA Progress JSC, NIIME JSC e NRU MIET. O evento teve o apoio do Ministério da Indústria e Comércio da Rússia, do Sindicato Russo de Engenharia, da Corporação Estatal Rostec, da Roselektronika e da Fundação Skolkovo.

Sobre a empresa

A Epiel é a única empresa na Rússia especializada na produção de estruturas epitaxiais baseadas em silício e safira para uma ampla gama de dispositivos semicondutores, incluindo circuitos integrados, dispositivos de potência discreta e muitos outros componentes eletrônicos.

As modernas estruturas epitaxiais são o produto de engenharia avançada e de alta tecnologia. A estrutura epitaxial de silício é uma bolacha fina e redonda de silício monocristalino de alta pureza com uma camada epitaxial ultrafina de silício monocristalino depositado em sua superfície.

As estruturas epitaxiais de silício estão na base da pirâmide sobre a qual a radioeletrônica moderna é construída, pois representam o material básico para a produção de uma ampla gama de componentes eletrônicos utilizados na eletrônica civil, militar e espacial.

Há mais de 20 anos a Epiel vem satisfazendo com sucesso a demanda da indústria eletrônica nacional e internacional por estruturas epitaxiais. Os produtos da empresa são utilizados por mais de 50 empresas eletrônicas em toda a Rússia.

Produção

Hoje a "Epiel" produz estruturas epitaxiais de silício de classe mundial de 100, 150 e 200 mm de diâmetro que são fornecidas a empresas microeletrônicas líderes como a "Mikron" e a "Angstrem" de nosso país e também no exterior.

Além disso, com base nessas estruturas são produzidos microcircuitos que são usados em dispositivos eletrônicos tanto para fins de consumo como para fins especiais. Por exemplo, os circuitos integrados produzidos em Mikron são utilizados em bilhetes RFID sem contato para a rede de transporte de Moscou.

Atender às necessidades de quase todos os consumidores domésticos é uma tarefa extremamente difícil, pois requer uma ampla gama de capacidades tecnológicas. Com mais de 30 anos de experiência em epitaxia de silício, especialistas da empresa desenvolveram uma série de processos tecnológicos que permitem produzir estruturas epitaxiais padrão e não-padrão em uma ampla gama de parâmetros. A combinação de alto potencial científico e amplas oportunidades de produção faz da "Epiel" uma empresa única em sua esfera não apenas na Rússia, mas também no mundo.

As estruturas epitaxiais "Silicon on Sapphire" (SOS) são um dos produtos únicos e promissores da empresa. A peculiaridade destas estruturas é que a camada epitaxial de silicone é depositada sobre o substrato de safira, que é um isolante.

As estruturas CNS são utilizadas na produção de componentes eletrônicos para aplicações civis, militares e espaciais. Em particular, elas servem como base para circuitos integrados resistentes à radiação que são usados em sistemas eletrônicos de equipamentos espaciais e usinas nucleares, bem como em dispositivos de comunicação, optoeletrônica e eletrônica de aplicação especial.

Além disso, a Epiel participa do consórcio para o desenvolvimento da tecnologia de produção de estruturas epitaxiais baseadas em nitreto de gálio (GaN). Os transistores de GaN de potência podem ser usados em conversores de pulso de tensão, fontes de alimentação ininterrupta, usinas de energia solar e geradores eólicos e em transporte. Um campo especial de aplicação é o dos veículos híbridos e elétricos.

Desenvolvimento inovador

A "Epiel" considera as constantes inovações visando a melhoria da qualidade e o desenvolvimento de novas estruturas epitaxiais como sua principal orientação estratégica, assim como o desenvolvimento de novos tipos de estruturas epitaxiais para estar à frente dos futuros planos de desenvolvimento dos consumidores domésticos.

Nos últimos cinco anos, a empresa fez um novo avanço em seu desenvolvimento, tendo implementado o projeto de uma nova área de produção equipada com as instalações de alta classe. A implementação do projeto exigiu investimentos significativos em equipamentos, sala limpa e infra-estrutura. Este projeto, único na Rússia, é de particular importância para a indústria eletrônica doméstica, pois estabelece uma base sólida para seu desenvolvimento futuro.