Основанная в 2004 году компания АО «Светлана-Рост» специализируется в электронике и приборостроении. После завершения разработки технологии производства и утверждения техусловий для производства эпитаксиальных структур GaAs типа MESFET в 2006 году была получена лицензия ФСБ на производство работ с использований сведений, относящихся к гостайне.
В 2009-2010 годах были разработаны и утвержденв техусловия для производства эпитаксиальных структур GaAs типа pHEMT и эпитаксиальных структур AlGaN типа DHFET.
Компания предоставляет услуги по утонению пластин, созданию омических контактов к эпитаксиальным структурам, разделению сапфировых подложек на кристаллы, процессу металлизации, термической обработке полупроводниковых пластин, фотолитографии, плазмохимическому травлению пленок.
Предприятие фаундри разрабатывает и изготавливает по отработанным протоколам пластины с индивидуальными заказами элементов для аналаговой ЭКБ, для фотоприемников и управляющей СВЧ.
Производство компании размещено в собственном здании площадью 5400 кв. м.
Компания также располагает сертификатом соответствия требованиям ГОСТ РВ 15.002-2003 и ГОСТ Р ИСО 9001-2008, выданным системой добровольной сертификации «Военный регистр» СВИДЕТЕЛЬСТВОМ участника проекта «Сколково».
АО «Светлана-Рост» выиграла конкурс Министерства образования и науки на получение гранта из федеральног бюджета в рамках федеральной целевой программы «Разработка технологий проектирования широкой номенклатуры СВЧ интегральных микросхем диапазона 4-18 ГГц»